这些 N 沟道增强模式功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进的技术特别适用于最小化导通电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换向模式下抵抗高能脉冲。这些器件非常适合于高效率的快速切换应用。功能：40V，200A，RDS (ON) = 1.1 mΩ@VGS = 10V，改进 dv/dt 能力，快速切换，绿色设备可用，应用: PowerTools、负载开关、 LED 应用、电机驱动应用。

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