晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：625mW H档，封装-SOT23-3、DC电流增益(hFE)(Min&Range)-40、安装类型-SMT、工作温度+150℃、集电极-发射极击穿电压40V、集电极-基极电压（VCBO）40V、发射极与基极之间电压 VEBO-5V、集电极-发射极电压 VCEO -25V、功率耗散300mW。艾芯微代理长晶全系产品，欢迎咨询。