封装/外壳SOT723、跃迁频率300MHz、DC电流增益(hFE)(Min&Range)100、

晶体管类型NPN、集射极击穿电压Vce(Max)40V、安装类型SMT、工作温度-55℃~+150℃(TJ)、Vce饱和压降300mV、长x宽/尺寸1.25 x 0.85mm、高度0.50mm、存储温度-55℃~+150℃、集电极-基极电压（VCBO）60V、发射极与基极之间电压 VEBO6V、集电极-发射极电压 VCEO 40V、功率耗散100mW、集电极电流 Ic 200mA。艾芯微代理长晶全系产品，欢迎咨询。