特征：高击穿电压+z低开启电压z瞬态保护的保护环结构

参数：峰值重复峰值反向电压工作峰值反向电压直流阻断电压 VRRMVRWM VR100V 正向连续电流 IF 150mA 正向重复峰值正向电流(注1)@tp < 1.0 s，占空比 < 50% IFRM 350mANon-重复峰值正向浪涌电流@t = 8.3 ms IFSM 750mAPpower 耗散 PD 200mW 热阻结至环境空气 RθJA 500 ° C/W 操作结温度范围 Tj-40 ~ + 125 ° C 储存温度范围 TSTG-55 ~ + 150 ° C。艾芯微代理销售长晶/长电全系产品，可提供技术支持。